德国宝德PH传感器8200型智能传感器德国批发
宝德PH传感器8200型智能传感器电容器能存贮电荷,其结构如图 1 所示。以P型硅为例,在P型硅衬底上通过氧化在表面形成SiO2层,然后在SiO2 上淀积一层金属为栅极,P 型硅里的多数载流子是带正电荷的空穴,少数载流子是带负电荷的电子,当金属电极上施加正电压时,其电场能够透过SiO2绝缘层对这些载流子进行排斥或吸引。于是带正电的空穴被排斥到远离电极处,剩下不能移动的带负电的少数载流子在紧靠SiO2层形成负电荷层(耗尽层),这种现象便形成对电子而言的陷阱,电子一旦进入就不能复出,故又称为电子势阱。
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宝德PH传感器8200型智能传感器当器件受到光照时(光可从各电极的缝隙间经过SiO2层射入,或经衬底的薄P型硅射入),光子的能量被半导体吸收,产生电子-空穴时,这时出现的电子被吸引存贮在势阱中,这些电子是可以传导的,光越强,势阱中收集的电子越多,光弱则反之,这样就把光的强弱变成电荷的数量,实现了光和电的转换,而势阱中收集的电子是被存贮状态即使停止光 137 照一定时间内也不会损失,这就实现了对光照的记忆。