英飞凌IGBT模块FF75R12RT4

技术参数：

• Ic(A),Tc=80℃          75

• Vce(sat),Max(V)        2.15

• Ton(us)                0.15

• Toff(us)               0.4

• Rth(j-c),K/W           0.38

• Pc(W)                  395

• 封装                  34mm

• 电路结构               半桥

性能概要：

• 提高工作温度TVJ op

• 低开关损耗

• 低V（CESAT）

• T（VJ OP）=150℃

• V（CESAT）具有正温度系数

• 隔离底板

• 标准封装

优点：

• 灵活性

• 佳的电气性能

• 高的可靠性

目标应用：

• 电机控制和驱动

• 太阳能系统解决方案

对于完整的太阳能电力解决方案的主导产品

• 不间断电源（UPS）

• 商业，农业和工程车辆（CAV）

• 感应加热

• 工业焊接