[VIP第3年] 指数:1
HUSTEC-5000
功率器件参数及图示测试系统
1． 系统配置简介
1.1 系统概述
HUSTEC-5000是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统，本系统可自动生成功率器件的I-V曲线，也可根据客户的实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统在失效分析，IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是6 to 20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来，数据捕获的曲线可导入EXCEL等格式进一步分析研究，是一款多功能的半导体测试设备。
本系统使用方便，只需要通过USB或者RS232与电脑连接，通过电脑中友好的人机界面操作，即可完成测试。并可以实现测试数据以EXCEL和WORD的格式保存。系统提供过电保护功能，门极过电保护适配器提供了广泛的诊断测试。这些自我测试诊断被编成测试代码,以提供自我测试夹具,在任何时间都可以检测。对诊断设备状态和测试结果提供了可靠地保证。
1.2 HUSTEC-5000测试仪指标
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技术指标 |
|||||
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主极参数 |
控制极参数 |
||||
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指标 |
标配 |
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指标 |
标配 |
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②主极电压: |
1mV-2000V |
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①控制极电压： |
100mV-20V |
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②电压分辨率： |
1mV |
|
②电压分辨率： |
1mV |
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③主极电流： |
0.1nA-100A |
可扩展1250A |
③控制极电流： |
100nA-10A |
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④电流分辨率： |
0.1nA |
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⑤测试精度： |
0.2%+2LSB |
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⑥测试速度： |
0.5mS/参数 |
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1.3 HUSTEC-5000测试系统是一套高速多用途半导体分立器件智能测试系统，它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力，可真实准确测试下列各种大、中、小功率的半导体分立器件。
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测试范围 / 测试参数 |
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序号 |
测试器件 |
测试参数 |
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01 |
绝缘栅双极大功率晶体管 IGBT |
ICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON； VGEON；VF；GFS |
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02 |
MOS场效应管 MOS-FET |
IDSS；IDSV；IGSSF； IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS； VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS |
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03 |
J型场效应管 J-FET |
IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON； IDSS；GFS；VGSOFF |
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04 |
二极管 DIODE |
IR；BVR ；VF |
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05 |
晶体管 （NPN型/PNP型） |
ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO； BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF |
|
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06 |
双向可控硅 TRIAC |
VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH- |
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07 |
可控硅 SCR |
IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM； IGT；VGT；IL；IH |
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08 |
硅触发可控硅 STS |
IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ； VPK-；VGSW+；VGSW- |
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09 |
达林顿阵列 DARLINTON |
ICBO； ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO； BVCER；BVCEE；BVCES ；BVCBO；BVEBO；hFE ； VCESAT； VBESAT；VBEON |
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10 |
光电耦合 OPTO-COUPLER |
ICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO； CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode) |
|
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11 |
继电器 RELAY |
RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME |
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12 |
稳压、齐纳二极管 ZENER |
IR；BVZ；VF；ZZ |
|
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13 |
三端稳压器 REGULATOR |
Vout；Iin； |
|
|
14 |
光电开关 OPTO-SWITCH |
ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF |
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15 |
光电逻辑 OPTO-LOGIC |
IR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF |
|
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16 |
金属氧化物压变电阻 MOV |
ID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ； |
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17 |
固态过压保护器 SSOVP |
ID+ ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、 IH-；；IBO+ IBO-；VBO+ VBO-；VZ+ VZ- |
|
|
18 |
压变电阻 VARISTOR |
ID+； ID-；VC+ ；VC- |
|
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19 |
双向触发二极管 DIAC |
VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-, |
1.4系统曲线测试列举
ID vs. VDS at range of VGS
ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD
RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS
IDSS vs. VDS
HFE vs. IC
BVCE（O,S,R,V） vs. IC
BVEBO vs. IE
BVCBO vs. IC
VCE（SAT） vs. IC
VBE（SAT） vs. IC
VBE（ON） vs. IC （use VBE test）
VCE（SAT） vs. IB at a range of ICVF vs. IF
1.5系统软件支持
器件测试程序的生成是通过在一台运行系统为Windows或WindowsNT的PC机上接口程序实现的。该程序提供快速的器件测试程序生成，具有全屏显示和增强型编辑帮助。
一种填空式编程方法向用户提供简明、直观的使用环境。操作人员只需在提示下，输入所选器件系列名称和测试类型，并选择所需测试的参数，而不必具有专业计算机编程语言知识。完成一个器件的测试程序编制只需几分钟的时间，非常快捷方便。
2． 系统内部简介
2.1 概述
HUSTEC-5000测试系统通过PC机对其内部功率源、测试施加条件、测试具体线路进行控制，达到对器件进行测试的目的。在一定的测试条件下，这些源与条件负载按照条件准确的连接，其中包含了大量的负载、转换功率源和所要求的外部测试线路。
2.2大功率半导体测试系统特点：
1.图形显示功能
2.局部放大功能
3.程序保护最大电流/电压,以防损坏
4.品种繁多的曲线
5.可编程的数据点对应
6.增加线性或对数
7.可编程延迟时间可减少器件发热
8.保存和重新导入入口程序
9.保存和导入之前捕获图象
10. 曲线数据直接导入到EXCEL
11.曲线程序和数据自动存入EXCEL
12.程序保护最大电流/电压,以防损坏
3． 系统规格及技术指标
工作温度：25℃--40℃
贮存温度: -15℃-50℃
工作湿度：45%--80%
贮存湿度：10%--90%
工作电压：200v--240v
电源频率：47HZ--63HZ
接地要求：供电电源应良好接地。
通信接口：RS232 USB
系统功耗：<150w
设备尺寸：450mm×570mm×280mm
系统主机产品详细测试参数
器件参数/技术指标
5.1 晶体管 TRANSISTOR
|
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
|
ICBO ICEO/R/S/V IEBO |
0.10V to 999V(2kV)（1） 0.10V to 20V( 80V)（3） |
1nA(10pA)（2） to 50mA 1nA(10pA)（2） to 3A |
1nA(1pA)（2）
|
1%+1nA+10pA/V (1%+200pA+2pA/V)（2） |
|
BVCEO (电流大于10mA， 脉冲宽度300us) BVCBO BVEBO |
0.10V to 450V( 900V)（1） to 700V(1.4kV)（1） to 1kV(2kV)（1） 0.10V to 999V(2kV)（1） 0.10V to 20V(80V)（3） |
1nA to 200mA to 100mA to 50mA to 50mA 1nA(10pA)（2）to 3A |
1mV
|
1%+10mV
1%+10mV |
|
hFE (1 to 99,999)
|
VCE: 0.10V to 5.00V（5） to 9.99V to 49.9V |
IC: 10uA to 49.9A(200A)(5) (1250A)(4) to 25A(100A) (5) (625A)(4) to 3A IB: 1nA to 10A |
0.01hFE
|
VCE: 1%+10mV IC: 1%+1nA IB: 1%+5nA |
|
VCESAT VBESAT VBE(VBEON) RE(间接参数) |
VCE： 0.10V to 5.00V to 9.99V VBE：.10V to 9.99V |
IE： to 49.9A(200A)(5) (1250A)(4) to 25A(100A) (5) (625A)(4) IB：1nA to 10A |
1mV
|
V：1%＋10mV IE：1%＋1nA IB：1%＋5nA |
5.2二极管DIODE
|
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
|
IR |
0.10V to 999V(2kV)（1） |
1nA(10pA)（2） to 50mA |
1nA(1pA)（2） |
1%+10nA+10pA/V (1%+200pA+2pA/V)（2） |
|
BVR |
0.10V to 999V(2kV)（1） |
1nA to 3A |
1mV |
1%+10mV |
|
VF
|
0.10V to 5.00V to 9.99V |
IF: 10uA to 49.9A(200A)(5) (1250A)(4) to 25A(100A) (5) (625A)(4) |
1mV |
VF: 1%+10mV IF: 1%+ 1nA |
5.3 稳压二极管、齐纳二极管ZENER
|
测 试 参 数 名 称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
|
IR |
0.10V to 999V(2kV)（1） |
1nA(10pA)（2） to 50mA |
1nA(1pA)（2）
|
1%+10nA+10pA/V (1%+200pA+2pA/V)（2） |
|
BVZ VzMIN IR |
0.1V to 5.000V to 9.999V to 50.00V to 700V(1.4kV)(1) to 999V(2kV)(1) BVZ Soak- 50V(100V)(1) 0 to 50ms to 99sec |
10uA to 49.9A(200A)(5) (1250A)(4) to 25A(100A) (5) (625A)(4) to 3A to 100mA to 50mA to 400mA to 80mA |
1mV |
1%+10mV |
|
VF
|
0.10V to 5.00V to 9.99V |
IF:10uA to 49.9A(200A)(5) (1250A)(4) to 25A(100A) (5) (625A)(4) |
1mV |
V: 1%+10mV IF: 1%+ 1nA |
|
ZZ(1kHz) 0.1Ω to 20kΩ |
0.1V to 200VDC 50μV to 300mV RMS |
100μA to 500mA DC |
0.001Ω 1μV |
1%+1%量程 |
5.4 三端电源稳压器件REGULATOR
|
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
|
Vo Input / Output Regulation (混合参数) |
VO：0.10V to 20V(50V)(3) VIN：0.10V to 49.9V 负载：电阻或电流型 |
IO： 1mA to 5A |
1mV |
1%+10 mV |
|
IIN |
VIN：0.10V to 20V(50V)(3) 负载：RGK 1kΩ、10kΩ 外接，开路，短路 |
IIN：1mA to 3A |
10nA |
1%+5nA |
5.5 J型场效应管J-FET
|
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
|
IGSS IDOFF、IDGO |
VGS:0.10V to 20V(80V)(3) VDS:0.10V to 999V(5kV)(1) |
1nA(10pA) (2) to 3A 1nA(10pA) (2) to 50mA |
1nA(1pA)(2)
|
1%+10nA+10pA/V (1%+200pA+2pA/V)(2) |
|
BVDGO BVGSS |
0.10V to 999V(2kV)(1) 0.10V to 20V(80V)(3) |
1nA to 50 mA 1nA to 3A |
1mV |
1%+100mV 1%+10mV |
|
VDSON，VGSON IDSS，IDSON RDSON (混合参数) gFS (混合参数) |
0.10V to 5.00V to 9.99V |
ID: 10uA to 49.9A(200A)(5) (1250A)(4) to 25A(100A) (5) (625A)(4) IG：1nA to 10A |
1mV |
V：1%+ 10mV ID：1%+1nA IG：1%+5nA |
|
VGSOFF |
0.10V to 20V(80V)(3) |
ID：1nA（10pA）（2）to 3A VD：0.10V to 50V |
1mV |
1%＋10mV |
5.6 MOS场效应管 MOS-FET
|
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
|
IDSS/V IGSSF IGSSR VGSF VGSR |
0.10V to 999V(2kV(1) 0.10V to 20V(80V)(3) |
1nA(10pA)(2) to 50mA 1nA(10pA)(2) to 3A |
1nA(1pA) (2)
|
1%+10nA+10pA/V (1%+200pA+2pA/V) (2) |
|
BVDSS |
0.10V to 999V(2kV)(1) |
1nA to 50mA |
1mV |
1%+100mV |
|
VGSTH |
0.10V to 49.9V |
ID: 100uA to 3A |
1mV |
1%+ 10mV |
|
VDSON、VF(VSD) IDON、VGSON RDSON( 混 合 参 数 ) gFS (混 合 参 数 ) |
VD、VF： 0.10V to 5.00V to 9.99V VGS：0.10V to 9.99V |
IF、ID：10uA to 49.9A(200A)(5) (1250A)(4) to 25A(100A) (5) (625A)(4) IG：1nA to 10A |
1mV
|
V： 1%+10mV IF、ID：1%+1nA IG： 1%+5nA |
5.7双向可控硅开关器件（双向晶闸管）TRIAC
|
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
|
IDRM IRRM IGKO |
0.10V to 999V(2kV)(1) 0.10V to 20V(80V)(3) |
1nA(10pA) (2) to 50mA 1nA(10pA) (2) to 3A |
1nA(1pA)（2） |
1%+10nA+10pA/V (1%+200pA+2pA/V) (2) |
|
VD+、VD- BVGKO |
0.01V to 999V(2kV) (1) 0.10V to 20V(80V) (3) |
1nA to 50mA 1nA to 3A |
1mV |
1%+100mV 1%+10 mV |
|
VT+ VT-
|
0.10V to 5.00V to 9.99V
|
10uA to 49.9A(200A)(5) (1250A)(4) to 25A(100A) (5) (625A)(4) IGT：1nA to 10A |
1mV
|
V：1%+10mV IT：1%+1nA IGT：1%+5nA |
|
I GT 1/2/3/4 VGT 1/2/3/4 |
VGT:0.10V to 20V(80V) (3) VT: 100mV to 49.9V |
IGT： 1nA to 3A RL:12Ω.30Ω.100Ω.EXT |
1mV 1nA |
1%＋10mV 1%＋5nA |
|
IL+、IL- ( 间 接 参 数 ) |
VD:5V to 49.9V
|
IL: 100μA to 3A IGT: 1nA to 3A RL:12Ω,30Ω,100Ω,EXT |
N/A |
N/A |
|
IH+、IH-
|
VD:5V to 49.9V |
IH: 10uA to 1.5A IGT: 1nA to 3A RL: 12Ω 30Ω 100Ω EXT (IAK初值由RL设置 ) |
1uA |
1%+2uA |
5.8 单向可控硅整流器（普通晶闸管）SCR
|
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
|
IDRM、IRRM、 IGKO |
0.10V to 999V(2kV)(1) 0.10V to 20V( 80V)(3) |
1nA(10pA)（2） to 50mA 1nA(10pA)（2） to 3A |
1nA(1pA)（2）
|
1%+10nA+10pA/V (1%+200pA+2pA/V)（2） |
|
VDRM、VRRM BVGKO |
0.10V to 999V(2kV)(1) 0.10V to 20V( 80V) (3) |
1nA to 50mA 1nA to 3A |
1mV 1mV |
1%+100mV 1%+ 10mV |
|
VTM
|
0.10V to 5.00V to 9.99V |
10μA to 49.9A(200A)(5) (1250A)(4) to 25A(100A) (5) (625A)(4) |
1 mV
|
VT：1%+10mV IT： 1%+1nA |
|
I GT VGT
|
VD: 5V to 49.9V VGT:0.10V to 20V(80V)(3) VT:100mV to 49.9V |
IGT: 1nA to 3A RL: 12Ω、30Ω、100Ω、 EXT |
1 mV 1nA
|
1%+10mV 1%+ 5nA |
|
IL ( 间 接 参 数 ) |
VD：5V to 49.9V
|
IL: 100μA to 3A IGT: 1nA to 3A RL: 12Ω,30Ω,100Ω,EXT |
N/A |
N/A
|
|
IH
|
VD：5V to 49.9V
|
IH: 10uA to 1.5A IGT: 1nA to 3A RL: 12Ω 30Ω 100Ω EXT (IAK初值由RL设置 ) |
1uA |
1%+2uA |
5.9 光电耦合器件OPTO-COUPLER
|
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
|
ICOFF、ICBO IR |
0.10V to 999V(2kV) (1) 0.10V to 20V(80V) (3) |
1nA(10pA) (2) to 50mA 1nA(10pA) (2) to 3A |
1nA(1pA) (2)
|
1%+10nA+10pA/V (1%+200pA+2pA/V) (2) |
|
BVCEO BVECO
BVCBO BVEBO |
0.10V to 450V( 900V) (1) to 700V(1.4kV) (1) to 1kV(2kV) (1) 0.10V to 999V(2kV) (1) 0.10V to 20V(80V) (3) |
100μA to 200mA to 100mA to 50mA 1nA(10pA) (2) to 50mA 1nA to 3A |
1mV |
1%+100 mV
1%+10mV |
|
CTR(0.01 to 99.999) hFE (1 to 99.999) VCESAT VSAT VF(Opto-Diode) |
VCE: 0.10V to 5.00V(5) to 9.99V to 49.9V VF: 0.10V to 9.99V |
IC: 10uA to 49.9A(200A)(5) (1250A)(4) to 25A(100A) (5) (625A)(4) to 3A IF, IB: 1nA to 10A |
0.0001CTR 0.01hFE |
VCE: 1%+10mV IC: 1%+1nA IF, IB: 1%+5nA |
6.10光电开关管OPTO-SWITCH
|
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
|
ICOFF |
0.10V to 999V(2kV) (1) |
1nA(10pA) (2) to 50mA |
1nA(1pA) (2)
|
1%+10nA+10pA/V (1%+200pA+2pA/V) (2) |
|
VD |
0.10V to 999V(2kV) (1) |
1nA to 50mA |
1mV |
1%+100mV |
|
Notch= IGT1、IGT4 VON=VSAT (Coupled) |
VD: 0.10V to 5.00V to 9.99V to 49.9V |
IGT：1nA to 3A |
1mV |
IGT: 1%+5nA 1%+10mV |
|
ION = IGT1、IGT4 IOFF = IGT1、IGT4 |
|
IGT：1nA to 3A |
1mV |
IGT: 1%+5nA |
6.11光电逻辑器件OPTO-LOGIC
|
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
|
IR |
0.10V to 20V(80V) (3) |
1nA(10pA) (2) to 50mA |
1nA(1pA) (2) |
1%+10nA+10pA/V (1%+200pA+2pA/V) (2) |
|
VF |
0.10V to 20V |
IF: 1nA to 10A |
1mV |
1%+10mV |
|
VOH VOL |
0.10V to 9.99V |
1nA to 49.9A |
1mV |
1%+10mV |
|
IFON IFOFF ITH+B ITH-B ITH+I ITH-I |
0.10V to 9.90V |
1nA to 10A |
1mV |
1%+10mV |
6.12 金属氧化物压变电阻MOV
|
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
|
ID+ ID- |
2.50mV to 49.9V(100V) (1) |
1nA(10pA) (2) to 3A |
1nA(1pA) (2)
|
1%+10nA+10pA/V (1%+200pA+2pA/V)(2) |
|
VN+ VN- VC+ VC- |
0.10V to 450V( 900V)(1) to 700V(1.4kV) (1) to 999V(2kV)(1) |
1nA(10pA)(2) to 200mA to 100mA to 50mA |
1mV |
1%+1%量程 |
6.13 固态过压保护器SSOVP
|
测 试 参 数 名 称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
|
ID+ ID- |
2.50mV to 1kV(2kV)（1） |
1nA(10pA)(2) to 3A |
1nA(1pA)(2) |
1%+10nA+10pA/V (1%+200pA+2pA/V)(2) |
|
VCLAMP+, VCLAMP- |
2.50mV to 1kV(2kV)（1） |
10mA to 900mA |
1mV |
1%+1%量程 |
|
VT+、VT- |
5mV to 20V |
IT：1nA to 49.9A IB：10mA to 900mA |
1mV |
V: 1%+10Mv IT: 1%+1nA IB：1%+5nA |
|
IH+、IH- |
VHVGS: 100mV to 20V |
IH: 10mA to 1A |
1uA |
1%+2uA |
|
IBO+ IBO- |
VT: 2.50mV to 400V(1) |
IB: 10mA to 900mA |
1nA(1pA) (2) |
1%+1nA |
|
VBO+ VBO- |
2.50mV to 400V |
10mA to 900mA |
1mV |
1%+10mV |
|
VZ+ VZ- VT+ VT- |
2.50mV to 1kV 5.00mV to 20V |
1nA to 3A IT: 1nA to 49.9A IB: 10mA to 900mA |
1mV |
V: 1%+10mV
|
6.14 继电器RELAY
|
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
|
RCOIL 1Ω to 10kΩ |
2.50V to 999V |
10mA to 3A |
0.001Ω |
1%+1%量程 |
|
VOPER |
100mV to 49.9V |
|
0.1V |
1% + 0.1V |
|
VREL |
100mV to 49.9V |
|
0.1V |
1% + 0.1V |
|
RCONT (10mΩ to 10kΩ) |
2.5mV to 49.9V |
10mA to 9.90A |
0.001Ω |
1%+1%量程 |
|
OPTIME / RELTIME ( 100us to 65ms) |
2.5mV to 49.9V |
|
1us |
1%+1%量程 |
6.15 绝缘栅双极大功率晶体管IGBT
|
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
|
ICES IGESF IGESR |
0.10V to 999V(2kV)(1) 0.10V to 20V(80V) (3) |
1nA(10pA)(2) to 50mA 1nA(10pA)(2) to 3A |
1nA(1pA) (2)
|
1%+10nA+10pA/V (1%+200pA+2pA/V)(2) |
|
BVCES |
0.1V to 450V( 900V)(1) to 700V(1.4V)(1) to 1kV(2kV)(1) |
100μA to 200mA To 100mA to 50mA |
1mV |
1%+100mV |
|
VGETH |
0.10V to 20V(50V) (3) |
1nA to 3A |
1mV |
1%+10mV |
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VCESAT ICON VGEON VF gFS (混合参数) |
VCE:0.10V to 5.00V to 9.99V VGE: 0.10V to 9.99V |
IC:10mA to 49.9A(200A)(5) (1250A)(4) to 25A(100A) (5) (625A)(4) IF, IGE: 1nA to 10A |
1mV |
V: 1%+10mV IF IC: 1%+1nA IGE: 1%+5nA |
6.16 硅触发可控硅STS
|
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
|
IH+ IH- |
VD:2.5mV to 1000V(2kV)(1) |
IH: 1nA to 49.9A RL: 12Ω 30Ω 100Ω EXT (IAK 初值由RL设置) |
1uA |
1%+2uA 1%+1%量程 |
|
VSW+ VSW-、 VPK+ VPK-、 VGSW+ VGSW- |
0.1V to 20(80V) (3) |
1nA to 10A |
1mV |
1%+10mV 1%+5nA |
6.17 压变电阻VARISTOR
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测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
|
ID+ ID- |
VD:2.5mV to 1kV(2kV)(1) |
1nA to 3A |
1uA |
1%+10nA+10pA/V (1%+10nA+10pA)(2) V: 1%+1%量程 |
|
VC+ VC-、 |
100mV to 10V |
1nA to 49.9A |
1mV |
1%+10mV |
6.18达林顿阵列DARLINTON
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电参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
|
ICBO ICEO/R/S/X IEBO |
0.10V to 999V(2kV)(1) 0.10V to 20V( 80V)(3) |
100nA(100pA)(2) to 50mA 100nA(100pA)(2) to 3A |
1nA(50pA)(2)
|
1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)(1) |
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BVCEO/R/E/S (10mA 以上使用300us 脉冲) BVCBO BVEBO |
0.10V to 450V( 900V)(1) to 700V(1.4kV)(1) to 1kV(2kV)(1) 0.10V to 999V(2kV)(1) 0.10V to 20V(80V)(3) |
100nA to 200mA to 100mA to 50mA 100nA to 50mA 100nA to 3A |
5mV
|
1%+100mV
1%+10mV |
|
hFE (1 to 99,999) |
VCE:0.10V to 5.00V(5) to 9.99V to 49.9V |
IC:10uA to 49.9A(200A)(5) (1250A)(4) to 25A(100A) (5) (625A)(4) to 3A IB: 100nA to 10A |
0.01hFE
|
VCE: 1%+10mV IC: 1%+100nA IB: 1%+5nA |
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VCESAT, VBESAT VBE(VBEON) |
VCE:0.10V to 5.00V to 9.99V VBE:0.10V to 9.99V |
IE:10uA to 49.9A(250A)（4） to 25A (125A)（4） IB: 100nA to 10A |
5mV
|
V: 1%+10mV IE:1%+100nA IB:1%+5nA |
粤公网安备 44030702001206号