大功率IGBT 莱姆IGBT全自动测试系统替代品华科智源

品牌：	华科智源
精确度：	正负%1精度
测量范围：	电压5000V，电流1600A
适用范围：	在线检修，来料检验，失效分析
单价：	面议
起订：	1 台
供货总量：	100 台
发货期限：	自买家付款之日起 30 天内发货
所在地：	广东省深圳市
有效期至：	长期有效
最后更新：	2023-07-04 17:45
浏览次数：	220

公司基本资料信息

深圳市华科智源科技有限公司
[VIP第3年] 指数:1
已缴纳 0.00 元保证金
联系人陈少龙(先生) 经理
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地区广东省-深圳市
地址深圳市宝安区西乡街道智慧创新中心

详细说明

HUSTEC华科智源

HUSTEC-1600A-MT

IGBT静态参数综合特性测试仪资料介绍

一：主要特点

华科智源HUSTEC-1200A-MT电参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试，还可以测量大功率二极管、IGBT模块，大功率 IGBT、大功率双极型晶体管，MOS管等器件的 V-I 特性测试，测试600A（可扩展至2000A），5000V以下的各种功率器件，广泛应用于轨道交通，电动汽车，风力发电，变频器，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析，设备还可以用于变频器，风电，轨道交通，电焊机等行业的在线检修，无需从电路板上取下来进行单独测试，可实现在线IGBT检测，测试方便，测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试，通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试；

测试参数：

ICES 集电极-发射极漏电流

IGESF 正向栅极漏电流

IGESR 反向栅极漏电流

BVCES 集电极-发射极击穿电压

VGETH 栅极-发射极阈值电压

VCESAT 集电极-发射极饱和电压

ICON 通态电极电流

VGEON 通态栅极电压

VF 二极管正向导通压降

整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。

二：华科智源HUSTEC-1200A-MT大功率IGBT测试仪应用范围

A：IGBT单管及模块，

B：大功率场效应管（Mosfet）

C：大功率二极管

D：标准低阻值电阻

E：轨道交通，风力发电，新能源汽车，变频器，焊机等行业筛选以及在线故障检测

三、华科智源IGBT测试仪系统特征：

A：测量多种IGBT、MOS管

B：最大脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；

C：脉冲宽度 50uS~300uS

D：Vce测量精度2mV

E：Vce测量范围>10V

F：电脑图形显示界面

G：智能保护被测量器件

H：上位机携带数据库功能

I：MOS IGBT内部二极管压降

J : 一次测试IGBT全部静态参数

K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）

L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；

序号	测试项目	描述	测量范围	分辨率	精度
1	V_F	二极管正向导通压降	0~20V	1mV	±1%,±1mV
2	IF	二极管正向导通电流	0~1200A	≤200A时,0.1A	≤200A时,±1%±0.1A
3	IF	二极管正向导通电流	0~1200A	＞200A时,1A	＞200A时,±1%
4	Vces	集电极-发射极电压	0~5000V	1V	±1%,±1V
5	Ic	通态集电极电流	0~1200A	≤200A时,0.1A	≤200A时,±1%±0.1A
6	Ic	通态集电极电流	0~1200A	＞200A时,1A	＞200A时,±1%
7	Ices	集电极-发射极漏电流	0~50mA	1nA	±1%,±10μA
8	Vgeth	栅极-发射极阈值电压	0~20V	1mV	±1%,±1mV
9	Vcesat	集电极-发射极饱和电压	0~20V	1mV	±1%,±1mV
10	Igesf	正向栅极漏电流	0~10uA	1nA	±2%,±1nA
11	Igesr	反向栅极漏电流	0~10uA	1nA	±2%,±1nA
12	Vges	栅极发射极电压	0~40V	1mV	±1%,±1mV

华科智源IGBT测试仪针对 IGBT 的各种静态参数而研制的智能测试系统；自动化程度高（按照操作人员设定的程序自动工作），计算机可以记录测试结果，测试结果可转化为文本格式存储，测试方法灵活（可测试器件以及单个单元和多单元的模块测试），安全稳定（对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁），具有安全保护功能，测试速度方便快捷。