特性:
1. 采用碳化硅(SiC)材料
2. 宽频段(UVA+UVB+UVC)
3. 有效探测区域0.2mm2(SG01M-51LENS敏感区域为11.0mm2,可探测非常弱的辐射)
4. 10mW/cm2峰值辐射照度产生约2600nA电流(10uW/cm2峰值的SG01M-51LENS约140nA)
5. 芯片高度稳定性(通过德国PTB认证)
关于碳化硅材料(SiC):
SiC可承受极端辐射硬度,近乎的可见盲区,低暗电流,高速响应和低噪音的独特属性;这些功能使SiC成为可见盲区紫外探测器的佳使用材料。SiC探测器可以永久工作在高达170℃的温度中,信号(响应率)的温度系数也很低,<0.1%/K。由于(fA级别的暗电流)噪音低,很低的紫外线辐射强度也可以可靠地测量,(需要适当的放大器)。
SiC光电二极管可作为未滤波的宽带探测设备或带有光学滤波器,提供对UVA、UVB、UVC波段的响应。
技术参数:
型号 |
SG01M-18 |
SG01M-18S |
SG01M-18ISO90 |
SG01M-5LENS |
响应率 |
0.13A/W |
0.13A/W |
0.13A/W |
0.13A/W |
波长典型值 |
280nm |
280nm |
280nm |
280nm |
波长范围(S=0.1*Smax) |
221-358nm |
221-358nm |
221-358nm |
221-358nm |
可见盲区(Smax/S>405nm) |
>1010 |
>1010 |
>1010 |
>1010 |
有效探测区域 |
0.2mm2 |
0.2mm2 |
0.2mm2 |
0.2mm2(芯片尺寸)11.0mm2(辐射敏感区域) |
暗电流(1V反向偏压) |
0.7fA |
0.7fA |
0.7fA |
0.7fA |
电容 |
50pF |
50pF |
50pF |
50pF |
短路电流(10mW/cm2峰值辐射照度) |
约2600nA |
约2600nA |
约2600nA |
(10uW/cm2峰值)约140nA |
温度系数 |
<0.1%/K |
<0.1%/K |
<0.1%/K |
<0.1%/K |
操作温度 |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
储存温度 |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
焊接温度(3S) |
260℃ |
260℃ |
260℃ |
260℃ |
反向电压VRmax |
20V |
20V |
20V |
20V |
物理特性 |
采用T018金属外壳密封,1针脚绝缘,1针脚接地 |
采用T018金属外壳密封,带小盖帽,1针脚绝缘,1针脚接地 |
采用T018金属外壳密封,2针脚绝缘,1针脚接地 |
内置聚光镜,采用T05金属外壳密封,1针脚绝缘,1针脚接地 |
应用领域:
主要用于火焰控制(工业锅炉),水处理( UV强度的保险),UV天文(阵列探测),枪弹跟踪(紫外线照相机),臭氧和污染物监测,火焰感应(火警安全装置油滴监测),测试太阳光中的紫外线强度(礼品、化妆品用具),紫外线灯管的紫外线发生强度测试(医疗器械或民用消毒碗柜的消毒效率检验)等。