品牌:长禾功率半导体测试实验室
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电参数测试 | 分立器件静态参数测试（DC） | 执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012、GJB128B-2021 试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件； 检测能力：检测最大电压：2000V 检测最大电流：200A； 试验参数： 漏电参数：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR； 击穿参数：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS； 导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM； 关断参数：VGSOFF 触发参数：IGT、VGT 保持参数：IH、IH+、IH- 锁定参数：IL、IL+、IL-
混合参数：RDSON、GFS |
I-V曲线扫描 | ID vs.VDS at range of VGS ID vs.VGS at fixed VDS IS vs.VSD RDS vs.VGS at fixed ID RDS vs.ID at several VGS IDSS vs.VDS HFE vs.IC BVCE（O,S,R,V） vs.IC BVEBO vs.IE BVCBO vs.IC VCE（SAT） vs.IC VBE（SAT） vs.IC VBE（ON） vs.IC （use VBE test） VCE（SAT） vs.IB at a range of ICVF vs. IF | |
功率模块静态参数测试（DC） | 执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：DIODE、IGBT、MOSFET、SCR、整流桥等功率； 试验能力：检测最大电压：7000V，检测最大电流：5000A 试验参数： 漏电参数：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR； 击穿参数：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS； 导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM； 关断参数：VGSOFF 触发参数：IGT、VGT 保持参数：IH、IH+、IH- 锁定参数：IL、IL+、IL- 混合参数：RDSON、GFS | |
开关特性测试（Switch） | 执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：MOSFET 、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块； 试验能力：检测最大电压：4500V 检测最大电流：5000A 试验参数：开通/关断时间ton/toff、上升/下降时间tr/tf、开通/关断延迟时间td(on)/td(off)、开通/关断损耗Eon/Eoff、电流尖峰Ic-peak max、电压尖峰Vce-peak max、电压变化率dv/dt、电流变化率di/dt； | |
反向恢复测试（Qrr） | 执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：DIODE 、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块； 试验能力：检测最大电压：4500V 检测最大电流：5000A 试验参数：反向恢复电荷Qrr、反向恢复电流Irm、反向恢复时间Trr、反向恢复电流变化率diF/dt、反向恢复损耗Erec； | |
栅极电荷（Qg） | 执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块；； 试验能力：检测最大电压：4500V 检测最大电流：5000A 试验参数：栅极电荷Qg、漏极电荷Qgs、源极电荷Qgd； | |
短路耐量（SCSOA） | 执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模块器件； 试验能力：检测最大电压：4500V 检测最大电流：10000A 试验参数：短路电流Isc、短路时间Tsc、短路能量Esc； | |
结电容（Cg） | 执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块； 试验能力：频率：0.1-1MHz、检测最大电压：1500V； 试验参数：输入电容 Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Cres； | |
C-V曲线扫描 | 输入电容Ciss-V； 输出电容Coss-V； 反向传输电容Cres-V； | |
栅极电阻（Rg） | 执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模块器件； 试验能力：检测最大电压：1500V； 试验参数：栅极等效电阻Rg |
极限能力测试 | 正向浪涌电流测试 | 执行标准：MIL-STD-750，IEC60747，客户自定义； 试验对象：DIODE（Si/SiC）、整流桥、SCR、IGBT； 试验能力：检测最大电流：10000A，10ms/8.3ms正弦半波，100us/1ms/10ms方波。 试验参数：浪涌电流IFSM/ITSM、i2t |
雷击浪涌 | 非标 | |
雪崩耐量测试（UIS） | 执行标准：MIL-STD-750，IEC60747，客户自定义； 试验对象：MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半导体器件等单管器件； 试验能力：检测最大电压：4500V，检测最大电流：200A 试验参数：雪崩能量EAS | |
介电性测试 | 执行标准：GB/T 42125.10-2022、IEC 60243、GB 4793.1-2007； 试验对象：Si、SiC·MOSFET； 试验能力：检测最大电压：4500V，检测最大电流：200A |
功率老炼 | 高温反偏试验（HTRB） | 执行标准：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。 试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块； 试验能力：温度150℃；电压5000V； |
高温栅偏试验（HTGB） | 执行标准：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、 EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。 试验对象：MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块； 试验能力：温度150℃；电压100V； | |
高温高湿反偏试验（H3TRB） | 执行标准：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、 EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。 试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块； 试验能力：温度85℃，湿度范围：25%~95%，电压4500V； | |
功率老炼测试 | 试验对象：IGBT、TVS、压敏电阻VDR； 试验能力：检测最大电压：4500V，检测最大电流：200A | |
间歇寿命试验（IOL） | 执行标准：GJB128、MIL-STD-750、 ； 试验对象：DIODE、BJT、MOSFET、IGBT及SiC器件等分立器件； 检测能力：ΔTj≧100℃ 电压最大60V，电流最大50A。 | |
功率循环试验（ PC） | 执行标准：GJB128、MIL-STD-750、 ； 试验对象：IGBT模块； 检测能力：ΔTj=100℃，电压最大30V，电流最大1800A； | |
热阻测试（ Riath） | 执行标准：JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6； 试验对象：各类二极管； 试验能力：瞬态热阻、稳态热阻 |
