[VIP第3年] 指数:1
特性：
1. 采用碳化硅（SiC）材料
2. 宽频段（UVA+UVB+UVC）
3. 有效探测区域0.2mm2（SG01M-51LENS敏感区域为11.0mm2，可探测非常弱的辐射）
4. 10mW/cm2峰值辐射照度产生约2600nA电流（10uW/cm2峰值的SG01M-51LENS约140nA）
5. 芯片高度稳定性（通过德国PTB认证）
关于碳化硅材料（SiC）：
SiC可承受极端辐射硬度，近乎的可见盲区，低暗电流，高速响应和低噪音的独特属性；这些功能使SiC成为可见盲区紫外探测器的佳使用材料。SiC探测器可以永久工作在高达170℃的温度中，信号（响应率）的温度系数也很低，<0.1%/K。由于（fA级别的暗电流）噪音低，很低的紫外线辐射强度也可以可靠地测量，（需要适当的放大器）。
SiC光电二极管可作为未滤波的宽带探测设备或带有光学滤波器，提供对UVA、UVB、UVC波段的响应。
技术参数:
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型号 |
SG01M-18 |
SG01M-18S |
SG01M-18ISO90 |
SG01M-5LENS |
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响应率 |
0.13A/W |
0.13A/W |
0.13A/W |
0.13A/W |
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波长典型值 |
280nm |
280nm |
280nm |
280nm |
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波长范围（S=0.1*Smax） |
221-358nm |
221-358nm |
221-358nm |
221-358nm |
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可见盲区（Smax/S>405nm） |
>1010 |
>1010 |
>1010 |
>1010 |
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有效探测区域 |
0.2mm2 |
0.2mm2 |
0.2mm2 |
0.2mm2（芯片尺寸）11.0mm2(辐射敏感区域) |
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暗电流（1V反向偏压） |
0.7fA |
0.7fA |
0.7fA |
0.7fA |
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电容 |
50pF |
50pF |
50pF |
50pF |
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短路电流（10mW/cm2峰值辐射照度） |
约2600nA |
约2600nA |
约2600nA |
（10uW/cm2峰值）约140nA |
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温度系数 |
<0.1%/K |
<0.1%/K |
<0.1%/K |
<0.1%/K |
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操作温度 |
-55～+170℃ |
-55～+170℃ |
-55～+170℃ |
-55～+170℃ |
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储存温度 |
-55～+170℃ |
-55～+170℃ |
-55～+170℃ |
-55～+170℃ |
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焊接温度（3S） |
260℃ |
260℃ |
260℃ |
260℃ |
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反向电压VRmax |
20V |
20V |
20V |
20V |
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物理特性 |
采用T018金属外壳密封，1针脚绝缘，1针脚接地 |
采用T018金属外壳密封，带小盖帽，1针脚绝缘，1针脚接地 |
采用T018金属外壳密封，2针脚绝缘，1针脚接地 |
内置聚光镜，采用T05金属外壳密封，1针脚绝缘，1针脚接地 |
应用领域：
主要用于火焰控制(工业锅炉)，水处理( UV强度的保险)，UV天文(阵列探测)，枪弹跟踪(紫外线照相机)，臭氧和污染物监测，火焰感应(火警安全装置油滴监测)，测试太阳光中的紫外线强度(礼品、化妆品用具)，紫外线灯管的紫外线发生强度测试(医疗器械或民用消毒碗柜的消毒效率检验)等。
粤公网安备 44030702001206号