电源: 5V(典型值),12V(大值)
工作温度: -40℃~ +120℃
贮存温度: -50℃ ~+125℃
输出电压: 60~140mV(at 5V)
参考精度: ±0.2% F.S./℃
温度滞后: <±0.05% F.S.
压力滞后: <±0.025% F.S.
长期漂移: <±0.05% F.S./年
膜片材质: 316L/ 哈氏合金C
过程连接: M20*1.5(F)
填充流体技术。
的充灌液技术。
双膜片过载结构。
高稳定性:<±0.05%F.S./年
极低的压力和温度滞后。
内置温度传感器。
可选多种隔离膜片材质,广泛满足防腐要求。
体积精巧,易于封装。
单晶硅高过载压力敏感元件的核心是高精度单晶体硅技术,它可以通过内置的静态压力和温度补偿,大限度提高静压力性能。具有高过载、高静压,静压可高达16MPa。SP38T适合各种恶劣的环境下,工作温度为-40~120°C。