标称尺寸外径Φ
CYG505的压力敏感元件采用当代先进的MEMS(Miro Electronic Machinical Systems)技术设计与制造、三维集成、双面加工的硅压阻压力敏感元件具有优秀的线性精度、离子注入、精细光刻技术制作的惠斯顿应变电桥的高度一致性使其具有很小的温度漂移。用CAD辅助的有限元分析基础上的佳力学构件设计、版图布局设计、加上精密的各向异性腐蚀,解决了低量程下线性度和输出灵敏度的矛盾。小至
零位输出 0±5mV(绝压部分量程0±10mV)
满量程输出 小值40mV 典型值80mV 大值120mV(不同量程有所差异)
输入输出阻抗 小值3 kΩ 典型值3.5 kΩ 大值4kΩ
输入工作电流 1.5mA(恒流源)
存储温度范围 -40℃~+
工作温度范围 -40℃~+
补偿温度范围 10~60℃或工作温区内任意
测量介质 与材料兼容无腐蚀洁净液体及气体
过载能力 额定量程的200%(表压型大至1.2MPa)
加速度灵敏度 <0.002%FS/g