IGBT功率器件动态参数测试仪概述
- 测试电压:zui大1200 VDC 200(短路电流可达1000A)
- 定时测量:zui低为1 ns
- 漏电流限制监视器
- - MOSFET开关时间测试, Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
- MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢复时间测试,Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps
- Qrr range:1nc~100uc,Trr range:10ns~2us
- MOSFET栅电荷Qg测试,Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
- IGBT感性开关时间测试,Max VDD =1.2KV,0.1V Steps,Inductors range:0.1mH~159.9mH
- IGBT短路耐量测试,Max ISC=1000A
测试标准:
- MIL-STD-750 Series
ITC57300mos管功率器件动态参数测试仪选项
- 额外的电源供应器
- 额外的测试头
- 大包装适配器
ITC57300mos管功率器件动态参数测试仪测试头
- ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET,MIL-STD-750方法3472开关时间
- ITC57220 - TRR /电源,MOSFET和二极管的Qrr,MIL-STD-750方法,3473
- ITC57230 - 栅极电荷功率MOSFET,MIL-STD-750方法3471
- ITC57240 - 电感式开关时间为IGBT,MIL-STD 750方法3477
- ITC57250 - (ISC)短路耐受时间,MIL-STD-750方法3479