大功率IGBT半导体MOS功率模块高温反偏老化测试仪

 
品牌: 西安易恩电气
电压频率: 50Hz±1Hz
系统功耗: 320W
尺 寸: 800x800x1800mm
单价: 188.00元/台
起订: 1 台
供货总量: 100 台
发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
所在地: 陕西省 西安市
有效期至: 长期有效
最后更新: 2022-09-13 15:22
浏览次数: 264
 
公司基本资料信息
详细说明

1、设备简述

IGBT高温反偏试验是在一定温度条件(125℃)下,按照规定的时间和电压,对IGBT施加反偏电压,从而对器件进行质量检验和耐久性评估的一种主要试验方法。

ENX2020C 测试系统是专为 IGBT 模块进行高温反偏试验而进行设计,IGBT出厂检测的重要设备。该试验系统可对相应的 IGBT 器件进行适配器匹配。测试标准符合 MIL-STD-750IEC60747。本设备采用计算机自动控制系统,后台软件实时监控、自动处理目标数据,具有测试精度高、操作方便、高效等优点。

该系统适用于中低压 IGBT 模块产品的高温反偏测试,最大测试电压为1200V。可以实现对 IGBT 器件集电极-发射极电压 Vce、集电极-发射极漏电流Ices、壳温 Tc、时间等各项参数的检测,根据程序设定自动完成测试,记录保存测试数据并且可以随时浏览导出,系统安全可靠,运行稳定。

2、试验台概要

2.1、电气系统额定参数

A.输入电压:380V AC

B. 输出电压:0-1200V DC

C. 输出电流:0-150mA

D. 工作相抵湿度:空气湿度 < 50%

E. 环境温度:0-40℃

2.2、加热及散热系统

该设备测试夹具共4个工位,毎路均配置独立的加热及冷却系统,控温范围为:70-150±1.0℃,温度分辨率为0.1℃。散热器表面温度升到目标温度控制在40分钟内。

每个工位配有温度控制系统,配备温控表显示实时温度。如图温控表上面为实时温度,下面为设定温度。如需温控表的详细参数,请咨询技术人员索要说明书。

2.3、主系统及其配置

主要配置如下,实际配置需满足招标产品工艺与产能需求。

1.主机_1_套;

2.试验工位 4 个;

3.直流电源 1 台;

4.温度控制系统 4 套;

5.电参数(漏电流、电压)检测装置 4 套;

6.工控机电脑 1 套;

Windows7 操作系统,友好的用户操作界面,人机对话,窗口式操作界面,并且保证长时间工作无故障。

7.主机配备 3 LED 警示灯,烟雾报警器,急停开关,安全联锁。 

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