TI推出全新3D霍尔效应位置传感器,兼具高速度和高精度以实现更快的实时控制

   2021-10-14 德州仪器3860
核心提示:2021年10月13日, 德州仪器 (TI)推出TI精确的3D霍尔效应位置传感器。该传感器在室温下提供低至2.6%的满量程总误差。它还具有低至3%的总误差漂移并且在横轴场存在的情况下,误差比同类器件至少低35%。
2021年10月13日, 德州仪器 (TI)推出TI精确的3D霍尔效应位置传感器。借助TMAG5170,工程师能够在高达20 kSPS的速度下无需校准即可实现超高精度,从而在工厂自动化和电机驱动应用中进行更快速、更精确的实时控制。该传感器也提供集成的功能和诊断特性,可更大程度地提高设计灵活性和系统安全性,同时功耗比同类器件至少低70%。TMAG5170是TI全新3D霍尔效应位置传感器系列中的第一款器件,可满足包括超高性能应用和通用应用在内的各种工业需求。 
 
“智能工厂拥有越来越多的高度自动化系统,这些系统必须在更加集成的制造流程中运行,同时同步收集数据以控制流程,”Omdia高级研究分析师Noman Akhtar表示。“具有更高精度、速度和能效的3D位置感应技术对于自动化设备至关重要,该技术可以快速实现精确的实时控制以提高系统效率和性能,同时减少停机时间。”
 
实现更快、更准确的实时控制
 
TMAG5170是TI首款3D霍尔效应位置传感器,可在室温下提供低至2.6%的满量程总误差。它还具有低至3%的总误差漂移(比同类竞品至少低30%),并且在横轴场存在的情况下,误差比同类器件至少低35%。总之,这些特性使TMAG5170能够提供比任何其他3D霍尔效应位置传感器更高的精度,无需终端校准和片外误差补偿,可简化系统设计和制造。为了实现更快、更准确的实时控制,该传感器支持高达20 kSPS的测量,可实现高速机械运动的低延迟吞吐量。

借助集成的功能和诊断特性更大限度地提高设计灵活性和系统安全性
 
TMAG5170无需片外计算,通过角度计算引擎、平均值测量以及增益和偏移补偿等集成特性,便可实现传感器和磁体的灵活定向。这些特性简化了设计并更大程度提高了系统灵活性,无论传感器如何放置,都可实现更快的控制环路、缩短系统延迟并简化软件开发过程。该传感器的集成计算功能还可将系统的处理器负载降低高达25%,使工程师能够使用通用MCU,例如TI的低功耗MSP430™ MCU,来更大程度降低总系统成本。
 
此外,TMAG5170借助一套独特的智能诊断功能(例如检查通信、连续性和内部信号路径)以及可针对外部电源、磁场和系统温度进行配置的诊断功能来提高安全性。因此,工程师能够定制芯片和系统级的安全方案,实现长期可靠性和更低的设计成本。
 
将电源效率提高至少70%
 
TMAG5170提供多种操作模式,与其他线性3D霍尔效应位置传感器相比,在保持系统性能的同时,功耗至少可降低70%。利用这些可配置的模式,工程师能够在1 SPS至20 kSPS采样范围内为电池供电器件或关注系统效率的轻负载模式中降低功耗。
 
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